検測センター構成
検測センター
-
ワイドバンドギ
ャップ材料部門- 単結晶材料検測
- エピタキシャル材料検測
-
パワーデバイス/モジ
ュールテスト部門- デバイステスト
- パワーモジュールテスト
- パッケージ性能テスト
-
パワーデバイス/モ
ジュール試験部門- 環境試験
- エッジング試験
- 機械試験
検測センターの概要
従業員11名
現在、同センターには技術者6名、オペレーター2名、システムスタッフ3名、管理スタッフ1名の合計11名のスタッフがいます。
31台の試験装置
現在、同センターには材料検測機10台、デバイス試験機6台、環境試験機8台、エージング試験機7台の計31台の主要試験設備が設置されている。
9つの研究室
現在、当センターには電気性能試験室、電気性能分析室、パッケージ性能試験室、材料試験室、表面形状解析室、表面形状試験室、環境試験室、塩水スプレー試験室、エッジング試験室 を設置される面積520m²の研究室がある。
業務範囲
| 試験項目 | 検測内容 | 保有設備 | 年間測定量 |
|---|---|---|---|
| 結晶タイプ検出 | SiC のさまざまな結晶タイプを検出し、4H、6H、15R などの結晶タイプを識別 | ラマン分光計 | 50,000枚 |
| 転位密度検出 | TSD、TED、BPDなど、SiCウェーハのさまざまな転位タイプの密度を検出 | ライカ顕微鏡 | 10,000枚 |
| マイクロチューブ密度検出 | SiCウェハのマイクロチューブ密度を検出 | ライカ顕微鏡 | 10,000枚 |
| 表面欠陥検出 | SiCウェーハのパーティクル、チッピング、スクラッチなどの表面欠陥を検出 | CS920 | 50,000枚 |
| 粗さ検出 | SiCウェーハの表面粗さを検出 | ブルカー原子間力顕微鏡 | 10,000枚 |
| 加工欠陥検出 | SiCウェハの加工中に発生するエッジ欠け、チッピング、スクラッチなどの欠陥を検出 | 強光、ライカ顕微鏡 | 50,000枚 |
| 静特性測定 | 静的な条件下SiCデバイスの基本的な電気特性を検出 | 半導体ディスクリートデバイス試験システム | 30,000枚 |
| サージテスト | 高電流ストレス条件に耐える SiC デバイスの性能を検出 | サージ電流テスター | 10,000枚 |
| 熱抵抗測定 | SiCデバイスの接合部からシェルまで、または接合部から環境までの間の熱抵抗値を検出 | 熱抵抗テスター | 10,000枚 |
結晶タイプ検出
- 検測内容
- SiC のさまざまな結晶タイプを検出し、4H、6H、15R などの結晶タイプを識別
- 保有設備
- ラマン分光計
- 年間測定量
- 50,000枚
転位密度検出
- 検測内容
- TSD、TED、BPDなど、SiCウェーハのさまざまな転位タイプの密度を検出
- 保有設備
- ライカ顕微鏡
- 年間測定量
- 10,000枚
マイクロチューブ密度検出
- 検測内容
- SiCウェハのマイクロチューブ密度を検出
- 保有設備
- ライカ顕微鏡
- 年間測定量
- 10,000枚
表面欠陥検出
- 検測内容
- SiCウェーハのパーティクル、チッピング、スクラッチなどの表面欠陥を検出
- 保有設備
- CS920
- 年間測定量
- 50,000枚
粗さ検出
- 検測内容
- SiCウェーハの表面粗さを検出
- 保有設備
- ブルカー原子間力顕微鏡
- 年間測定量
- 10,000枚
加工欠陥検出
- 検測内容
- SiCウェハの加工中に発生するエッジ欠け、チッピング、スクラッチなどの欠陥を検出
- 保有設備
- 強光、ライカ顕微鏡
- 年間測定量
- 50,000枚
静特性測定
- 検測内容
- 静的な条件下SiCデバイスの基本的な電気特性を検出
- 保有設備
- 半導体ディスクリートデバイス試験システム
- 年間測定量
- 30,000枚
サージテスト
- 検測内容
- 高電流ストレス条件に耐える SiC デバイスの性能を検出
- 保有設備
- サージ電流テスター
- 年間測定量
- 10,000枚
熱抵抗測定
- 検測内容
- SiCデバイスの接合部からシェルまで、または接合部から環境までの間の熱抵抗値を検出
- 保有設備
- 熱抵抗テスター
- 年間測定量
- 10,000枚